Dự kiến, Samsung sẽ giới thiệu đến người hâm mộ dòng Galaxy S24 series vào đầu tháng 1 năm sau. Tuy nhiên, trước ngày ra mắt thông tin về sản phẩm đã liên tục xuất hiện trên các trang mạng xã hội. Mới đây nhất, điểm hiệu năng của Galaxy S24 Ultra đã bị rò rỉ trên phần mềm Geekbench, qua đó hé lộ cho chúng ta nhiều thông tin thú vị về chiếc điện thoại này.
Rò rỉ điểm hiệu năng của Galaxy S24 Ultra
Theo Geekbench, Galaxy S24 Ultra phiên bản Mỹ sẽ có tên mã là SM-S928U, được trang bị chip Snapdragon 8 Gen 3 có 1 nhân chính xung nhịp đạt mức 3.3GHz, 3 nhân hiệu suất xung nhịp đạt mức 3.15GHz, 2 nhân xung nhịp 2.27GHz và 2 nhân xung nhịp 2.96GHz. Điểm hiệu năng của Galaxy S24 Ultra đạt 2.234 điểm trong bài kiểm tra đơn nhân và 6.807 điểm trong bài kiểm tra đa nhân. Ngoài ra, điện thoại còn đi kèm với RAM 8GB và được cài đặt sẵn hệ điều hành Android 14 cùng giao diện One UI 6 của Samsung.
Trước đó, các nguồn tin rò rỉ cho biết chiếc điện thoại này sẽ có màn hình lớn 6.8 inch, đi kèm độ phân giải WQHD+, có thiết lập 4 camera sau với camera chính 200MP ở mặt sau và camera selfie 12MP ở mặt trước. Ngoài ra, máy còn sở hữu viên pin 5.000 mAh và hỗ trợ sạc 45W được hé lộ thông qua chứng nhận 3C.
Không chỉ vậy, hình ảnh render CAD của Onleaks cho thấy Galaxy S24 Ultra sẽ có thiết kế màn hình phẳng kết hợp với phần khuyết đục lỗ và cạnh phải là ăng ten UWB. Đồng thời, máy cũng được cho là sẽ có kích thước 162.3 x 79 x 8.7 mm.
Bạn đánh giá thế nào về điểm hiệu năng của Galaxy S24 Ultra vừa rò rỉ? Hãy để lại bình luận bên dưới nhé.
BÀI VIẾT LIÊN QUAN
