Điểm hiệu năng Galaxy S26 Ultra vừa được hé lộ thông qua dữ liệu Geekbench rò rỉ mới nhất, cho thấy mẫu flagship sắp ra mắt của Samsung đang sở hữu sức mạnh xử lý rất ấn tượng. Đáng chú ý, với việc trang bị Snapdragon 8 Elite Gen 5, thiết bị được cho là đã vượt qua Apple A19 Pro ở bài kiểm tra đa nhân.
Theo kết quả xuất hiện trên Geekbench, Galaxy S26 Ultra ghi nhận 3.601 điểm đơn nhân và 10.686 điểm đa nhân. Đây là mức điểm thuộc nhóm cao nhất hiện nay, phản ánh rõ tham vọng cạnh tranh trực tiếp của Samsung với các đối thủ hàng đầu trên thị trường smartphone cao cấp.
Thiết bị thử nghiệm sử dụng vi xử lý Snapdragon 8 Elite Gen 5 phiên bản “For Galaxy” – biến thể được Qualcomm tinh chỉnh riêng cho Samsung. Dữ liệu kỹ thuật cho thấy xung nhịp tối đa của CPU đạt tới 4,74 GHz, nhỉnh hơn mức 4,60 GHz của bản tiêu chuẩn. Điều này cho thấy Samsung tiếp tục duy trì chiến lược hợp tác ép xung với Qualcomm nhằm tạo lợi thế hiệu năng cho dòng Ultra, và điểm hiệu năng Galaxy S26 Ultra vì thế cũng được đẩy lên một tầm cao mới.
Khi so sánh, Snapdragon 8 Elite Gen 5 trên Galaxy S26 Ultra mang lại mức cải thiện khoảng 16% ở hiệu năng đơn nhân và 7,5% ở đa nhân so với Galaxy S25 Ultra. Khi so với Apple A19 Pro, con chip mới của Qualcomm vẫn kém hơn khoảng 7% ở bài test đơn nhân, nhưng lại vượt đối thủ tới 6% ở bài test đa nhân – một kết quả rất đáng chú ý.
Khoảng cách hiệu năng giữa chip Android và chip Apple vì thế đang dần được thu hẹp, thậm chí đảo chiều ở những tác vụ đa luồng nặng. Đây được xem là tín hiệu tích cực cho hệ sinh thái Android nói chung, nhất là với người dùng yêu cầu cao về xử lý công việc, chơi game hoặc AI trên thiết bị di động.
Ở góc nhìn cá nhân, việc Samsung đẩy xung CPU lên mức 4,74 GHz, kết hợp với hệ thống tản nhiệt buồng hơi cải tiến (theo các tin rò rỉ trước đó), hứa hẹn sẽ giúp máy duy trì hiệu suất ổn định trong thời gian dài. Nếu những thông tin này chính xác, điểm hiệu năng Galaxy S26 Ultra hoàn toàn có thể trở thành một trong những yếu tố khiến mẫu flagship này “làm mưa làm gió” khi ra mắt.
Xem thêm:
